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Intel支援の新メモリ「ZAM」とは何か? HBM4級の帯域を狙う“縦積み”DRAMの正体

記事のキーポイント

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“HBMキラー”候補、ZAMの正体が少し見えてきた

AI向け半導体の話題で、今いちばん熱いキーワードの1つがHBMです。
HBMは High Bandwidth Memory の略で、ざっくり言うと「ものすごく速いメモリ」です。AI処理ではGPUやAIアクセラレータが大量のデータを一気に読み書きするので、普通のメモリでは追いつきません。そこで、データの通り道を太くしたHBMが重宝されているわけです。

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今回TechRadarが取り上げたのは、そのHBMに挑む新技術ZAM(Zero-Angle Memory)​
Intelが支援しているこのメモリは、​メモリチップを平面に広げるのではなく、垂直に積み上げるのが特徴です。この記事では、ZAMの内部構造についてかなり具体的な情報が出てきました。

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率直に言うと、これはかなり面白いです。
メモリ技術って地味に見えますが、AI時代には「どれだけ計算できるか」より「どれだけ速くデータを運べるか」が勝負の分かれ目になりがちです。なので、こうした“配線と積層の工夫”が、実はAIインフラの値段や性能をガラッと変える可能性があります。

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ZAMはどういう構造なのか

記事によると、ZAMモジュールは9層構成です。

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つまり、合計9層を垂直に積み重ねた構造になっています。
ここでのDRAMは、一般的なPCメモリにも使われる「データを一時的に置いておくメモリ」のことです。CPUやGPUが作業するときの作業机みたいなものだと思うと分かりやすいです。

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さらに、各DRAM層の容量は1.125GBとされており、単純計算で約9GBの総容量になります。
1枚のモジュールで9GBというのは、AI向けの文脈ではそれほど巨大とは言えないかもしれませんが、重要なのは容量そのものよりも帯域幅と積層効率です。

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3本のTSVが縦の世界をつなぐ

この構造を支えるのがTSV(Through-Silicon Via)​です。
TSVは、シリコンの中を貫く“縦穴の配線”のようなもの。上下の層を電気的につなぐ役割を持ちます。

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記事によると、ZAMでは3本のTSVがスタック全体を貫通し、各層をつないでいます。
そしてIntelが開発したfusion bondingという高度な接合技術を使うことで、TSVの接続精度と信頼性を高めているとのことです。

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個人的には、このあたりがZAMの本質だと思います。
「速いメモリを作る」と言っても、実際には新素材の魔法というより、​層をどう薄く積むか、どう壊さずにつなぐかの勝負です。こういう地道な実装力が性能の差になるのが、半導体の面白いところです。

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帯域幅はHBM4に迫る?

記事で特に注目されているのが、ZAMの帯域幅です。
帯域幅とは、簡単に言えば「1秒あたりにどれだけ大量のデータをやり取りできるか」のこと。AIではここが遅いと、せっかく強いGPUを積んでいても性能を出し切れません。

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TechRadarの記事では、ZAMは以前の発表ベースでHBM3の2〜3倍速を目指していると紹介しています。
HBM3は標準構成で819GBpsの帯域幅を持つため、3倍なら約2.5TBps級のスループットが見えてくる計算です。

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もちろん、これはあくまで報道ベースの推定であって、ZAMの公式な最終スペックではありません。
ただ、もし本当にこの水準に近づくなら、かなりインパクトがあります。AI向けのメモリは、単に「速い」だけでなく、​どれだけのコストでその速さを出せるかが重要だからです。

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そして裏にいるのはIntelとSoftBank系の企業

この技術の商用化を進めているのは、日本のSaimemory Corporation
記事では、この会社はSoftBankの完全子会社だとされています。

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つまり、ZAMは「Intelが全面に出ている純Intel製品」というより、​Intel支援の技術を日本企業が事業化しているという構図です。
ここはなかなか興味深いポイントです。AIハードウェアの最前線って、アメリカの巨大企業だけで完結するわけではなく、こうした国際連携型の技術開発になってきているんですよね。

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なぜZAMが注目されるのか

ZAMが面白いのは、単に「新しいメモリ」だからではありません。
狙っているのが、AIインフラの大きな悩みであるHBMの高コスト供給制約だからです。

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HBMは高性能なぶん、作るのが難しく、価格も上がりやすい。
AIサーバーを大量導入したい企業にとっては、ここがかなり重いボトルネックになります。

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もしZAMが、

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を実現できるなら、AIサーバーの価格構造を崩せるかもしれません。
これはかなり大きいです。AI業界って、最終的には「どの企業がいちばん賢いモデルを作るか」だけでなく、「どの企業がいちばん安く巨大な計算基盤を持てるか」の競争でもあるので。

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ただし、まだ“夢の技術”段階でもある

ここは冷静に見たほうがいいです。
記事にある内容はかなり期待感がある一方で、​実際の量産、歩留まり、コスト、安定性はまだ未知数です。

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半導体の世界では、紙の上のスペックがすごくても、量産で苦しむことは珍しくありません。
特に縦積み構造は、性能を上げやすい反面、​熱、接続、製造難易度のハードルが一気に上がります。

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なので、現時点で「HBMはもう終わり」と言うのはさすがに早いと思います。
むしろZAMは、HBMを即座に置き換えるというより、​将来のAIメモリの選択肢を増やす技術として見るのが現実的ではないでしょうか。

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まとめ:AIメモリ競争は“積む技術”の時代へ

ZAMの話を一言でまとめると、
​「メモリは横に広げる時代から、縦に積む時代へ」​
という流れの象徴だと思います。

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AIの進化は、モデルの賢さだけでは決まりません。
その裏で、データをどれだけ速く、安く、安定して運べるかが勝負になります。ZAMはまさに、その根っこを変えようとしている技術です。

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まだ未来の話ではありますが、もしこの記事どおりの性能が本当に実用化されれば、AIサーバーの設計思想そのものに影響を与えるかもしれません。
こういう“地味だけど超重要な技術”が、あとから業界地図をひっくり返すことはよくあります。ZAMは、その候補としてかなり気になる存在です。

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参考: New Intel-supported memory design packs nine vertical layers

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