#半導体

Intel支援の新しいメモリ技術「ZAM（Zero-Angle Memory）」の詳細が見えてきた 特徴は、DRAMを横に並べず縦に9層積む構造 1モジュールあたり約9GBの容量を持つ見込み 帯域幅はHBM4にかなり近い水準を狙っている AI向けメモリとして、コストや電力効率の面でHBMの代替候補になりうる 商用化はまだ先だが、AIハードウェアの勢力図を変える可能性がある AI向け半導体の話題で、今いちばん熱いキーワードの1つがHBMです。 HBMは *High Bandwidth Memory* の略で、ざっくり言うと「ものすごく速いメモリ」です。AI処理ではGPUやAIアクセラレータが大量のデータを一気に読み書きするので、普通のメモリでは追いつきません。そこで、データの通り道を太くしたHBMが重宝されているわけです。 今回TechRadarが取り上げたのは、そのHBMに挑む新技術ZAM（Zero-Angle Memory）。 Intelが支援しているこのメモリは、メモリチップを平面に広げるのではなく、垂直に積み上げるのが特徴で